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BCW66GLT1G产品参数
型号:BCW66GLT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
制造商包装代码:318-08
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.54
Samacsys Confidence:2
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/256815.2.2.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=256815
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=256815
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=256815
Samacsys PartID:256815
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/BCW66GLT1G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/BCW66GLT1G.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:SOT-23 (TO-236)
Samacsys Released Date:2018-02-22 10:04:18
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.225 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
最大关闭时间(toff):400 ns
最大开启时间(吨):100 ns
Base Number Matches:1
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