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BD1386产品参数
型号:BD1386
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):13 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):75 MHz
Base Number Matches:1
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