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  • 深圳市广百利电子有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家ST/意法 
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 厂家ST/意法 
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 数量9800 
  • 厂家ph 
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  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供货
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装NA/ 
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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 厂家NXP/恩智浦 
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 只做原装正品假一罚十
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 集好芯城

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 厂家FSC全塑封 
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • BD435-16
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  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 厂家FAIRC 
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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 厂家FSC半塑封 
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  • 绝对原装现货特价
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家ST/意法 
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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • BD435 85-375图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • BD435 85-375
  • 数量35600 
  • 厂家长电 
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  • 批号16+ 
  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 数量35000 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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  • 批号24+ 
  • 原装进口正品现货,假一罚十价格优势
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • BD435
  • 数量6600 
  • 厂家ST 
  • 封装SOT-32(TO-126) 
  • 批号20+ 
  • 原盒原装原标签,市场最低价。
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  • BD435图
  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • BD435
  • 数量5275 
  • 厂家ST/PHI 
  • 封装TO-126 
  • 批号24+ 
  • 全新原装现货,欢迎询购!
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  • BD435 D/C98图
  • 北京首天国际有限公司

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  • BD435 D/C98
  • 数量3403 
  • 厂家MOT 
  • 封装 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • BD435
  • 数量10000 
  • 厂家PHILIPS 
  • 封装 
  • 批号16+ 
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  • BD435图
  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • BD435
  • 数量30000 
  • 厂家ST/意法 
  • 封装TO-126 
  • 批号23+ 
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  • BD435图
  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • BD435
  • 数量5000 
  • 厂家Fairchild Semiconductor 
  • 封装贴/插片 
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  • BD435STU图
  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 数量3248 
  • 厂家Fairchild 
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 数量5037 
  • 厂家ST 
  • 封装原厂封装 
  • 批号22+ 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BD435G
  • 数量9328 
  • 厂家ON-安森美 
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  • ▉▉¥4.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • BD435图
  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • BD435
  • 数量28989 
  • 厂家NXP/ST 
  • 封装TO126F 
  • 批号2014+ 
  • ★专业代理原装现货,特价热卖!
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  • BD435F图
  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • BD435F
  • 数量5000 
  • 厂家PH 
  • 封装TO-126F 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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产品型号BD435的概述

芯片BD435的概述 BD435是一款广泛应用于模拟电路的集成电路,其主要功能是作为电压调节器和线性稳压器。此芯片用于为各种电子设备提供稳定的直流电压,是许多电子项目和产品中不可或缺的一部分。BD435的设计旨在优化电源管理,提高系统效率,同时降低电力损耗。这使得它特别适合于便携式设备、电信设备和消费电子等领域。 BD435的运行电压范围较宽,通常从2.5V到12V不等,这为各种工业及消费应用提供了灵活性。此外,BD435的输出电流能力也很强,可以支持高达1A的负载,非常适合那些需要较大输出电流的应用场合。 芯片BD435的详细参数 BD435的技术规格表提供了芯片的详细参数信息。其主要参数包括: - 输入电压范围:2.5V至12V - 输出电压:可调(通常在1.25V至10V之间) - 最大输出电流:1A - 静态电流:约5mA - 温度范围:-40°C至85°C - 过热保护:内...

产品型号BD435的Datasheet PDF文件预览

BD433/5/7  
BD434/6/8  
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS  
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES  
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES  
DESCRIPTION  
The BD433, BD435, and BD437 are silicon  
epitaxial-base NPN power transistors in Jedec  
SOT-32 plastic package, intented for use in  
medium power linear and switching applications.  
The BD433 is especially suitable for use in  
car-radio output stages.  
1
2
3
The complementary PNP types are BD434,  
BD436, and BD438 respectively.  
SOT-32  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
NPN  
PNP  
BD433  
BD434  
22  
BD435  
BD437  
BD438  
45  
BD436  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
32  
V
V
22  
32  
45  
22  
32  
45  
V
5
V
4
A
ICM  
Collector Peak Current (t 10 ms)  
Base Current  
7
A
IB  
1
36  
A
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Dissipation at Tc ≤ 25 C  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
For PNP types voltage and current values are negative.  
1/4  
June 1997  
BD433/434/435/436/437/438  
THERMAL DATA  
Rthj-case Thermal Resistance Junction-case  
Rthj-amb Thermal Resistance Junction-ambient  
Max  
Max  
3.5  
100  
oC/W  
oC/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
ICBO  
Collector Cut-off  
Current (IE = 0)  
for BD433/434  
for BD435/436  
for BD437/438  
VCB = 22 V  
VCB = 32 V  
VCB = 45 V  
100  
100  
100  
µA  
µA  
µA  
ICES  
Collector Cut-off  
Current (VBE = 0)  
for BD433/434  
for BD435/436  
for BD437/438  
VCE = 22 V  
VCE = 32 V  
VCE = 45 V  
100  
100  
100  
µA  
µA  
µA  
IEBO  
Emitter Cut-off Current VEB = 5 V  
(IC = 0)  
1
mA  
VCEO(sus) Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
(IB = 0)  
IC = 100 mA  
for BD433/434  
for BD435/436  
for BD437/438  
22  
32  
45  
V
V
V
VCE(sat)  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
IC = 2 A  
IB = 0.2 A  
for BD433/434  
for BD435/436  
for BD437/438  
0.2  
0.2  
0.2  
0.5  
0.5  
0.6  
V
V
V
VBE  
Base-Emitter Voltage  
DC Current Gain  
IC = 10 mA  
IC = 2 A  
VCE = 5 V  
VCE = 1 V  
for BD433/434  
for BD435/436  
for BD437/438  
0.58  
V
1.1  
1.1  
1.2  
V
V
V
hFE  
IC = 10 mA  
VCE = 5 V  
for BD433/434  
for BD435/436  
for BD437/438  
VCE = 1 V  
40  
40  
30  
85  
130  
130  
130  
140  
IC = 500 mA  
IC = 2 A  
VCE = 1 V  
for BD433/434  
for BD435/436  
for BD437/438  
50  
50  
40  
h
FE1/hFE2 Matched Pair  
fT Transition frequency  
IC = 500 mA  
IC = 250 mA  
VCE = 1 V  
VCE = 1 V  
1.4  
3
MHz  
Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %  
2/4  
BD433/434/435/436/437/438  
SOT-32 (TO-126) MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
7.4  
TYP.  
MAX.  
7.8  
MIN.  
0.291  
0.413  
0.028  
0.019  
0.040  
0.039  
0.606  
MAX.  
0.307  
0.445  
0.035  
0.030  
0.106  
0.050  
0.629  
A
B
10.5  
0.7  
10.8  
0.9  
b
b1  
C
0.49  
2.4  
0.75  
2.7  
c1  
D
1.0  
1.3  
15.4  
16.0  
e
2.2  
3.8  
0.087  
0.150  
e3  
F
4.15  
3
4.65  
0.163  
0.118  
0.183  
G
H
3.2  
0.126  
0.100  
2.54  
H2  
2.15  
0.084  
H2  
0016114  
3/4  
BD433/434/435/436/437/438  
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. . .  
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配单直通车
BD435产品参数
型号:BD435
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:PHILIPS SEMICONDUCTORS
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):36 W
参考标准:IEC-134
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7 MHz
Base Number Matches:1
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