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| 型号: | BD435 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | PHILIPS SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W |
| 参考标准： | IEC-134 |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
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