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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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产品型号BDT65C的概述

芯片BDT65C的概述 BDT65C是一种广泛应用于功率放大器、开关电源和其他电子设备中的高性能半导体器件。其主要功能是实现信号的放大和开关,从而满足不同电路的需求。这种芯片通常用于工业、通信和消费电子产品中,其优越的性能和较高的可靠性使其成为重要的电子元件。 BDT65C芯片采用先进的工艺技术制造,具有较低的导通电阻和较高的增益,使其特别适合高频率及高效率的应用场景。其独特的电气特性使其在众多场合中得以广泛使用,例如在音频放大器、RF放大器和其他需要高增益的应用中表现出色。此外,由于其结构较为简单,并且能够与其他元器件良好配合,BDT65C极大地方便了电子工程师的设计过程。 芯片BDT65C的详细参数 BDT65C芯片的技术规格可包括以下几个方面: - 工作电压(Vce): 通常为0~60V,适合多种电源供电要求。 - 最大集电电流(Ic): 一般为5A,适用于需要较大电流输出的应用...

产品型号BDT65C的Datasheet PDF文件预览

SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
BDT65C  
DESCRIPTION  
·With TO-220C package  
·High DC Current Gain  
·DARLINGTON  
·Complement to type BDT64C  
APPLICATIONS  
·For audio output stages and general  
purpose amplifier and switching  
applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
Collector;connected to  
mounting base  
2
3
Emitter  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
120  
UNIT  
V
Collector-base voltage  
Open emitter  
Open base  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current-DC  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
120  
V
Open collector  
5
V
12  
A
PT  
TC=25ꢀ  
125  
W
Tj  
150  
Tstg  
-55~150  
SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
BDT65C  
CHARACTERISTICS  
Tj=25ꢀ unless otherwise specified  
SYMBOL  
VCEO(SUS)  
VCEsat-1  
VCEsat-2  
VBE  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
TYP.  
MAX  
UNIT  
V
Collector-emitter sustaining voltage IC=30mA, IB=0  
Collector-emitter saturation voltage IC=5A ,IB=20mA  
Collector-emitter saturation voltage IC=10A ,IB=100mA  
120  
2.0  
3.0  
2.5  
V
V
Base-emitter on voltage  
Collector cut-off current  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
IC=5A ; VCE=4V  
VCB=120V, IE=0  
V
0.4  
2.0  
ICBO  
mA  
mA  
mA  
V
CB=60V, IE=0;Tj=150ꢀ  
ICEO  
VCE=60V, IB=0  
VEB=5V; IC=0  
IC=1A ; VCE=4V  
IC=5A ; VCE=4V  
IC=12A ; VCE=4V  
IF=5A  
0.2  
5
IEBO  
hFE-1  
hFE-2  
hFE-3  
VF-1  
1500  
1000  
DC current gain  
1000  
DC current gain  
Forward diode voltage  
Forward diode voltage  
Collector capacitance  
Turn-on time  
2.0  
V
V
VF-2  
IF=12A  
2.0  
200  
1.0  
6.0  
CC  
IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz  
pF  
µs  
µs  
ton  
2.5  
10  
IC=5A ,IBon=-IBoff=20mA  
toff  
Turn-off time  
2
SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
BDT65C  
PACKAGE OUTLINE  
Fig.2 Outline dimensions  
3
配单直通车
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
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  • 封装
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