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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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产品型号BDX34C的概述

芯片BDX34C的概述 BDX34C是一款常用的功率晶体管,特别适合在各种需要电流放大和开关操作的应用场合。作为双极型晶体管(BJT),BDX34C被广泛应用于音频放大器、开关电源、继电器驱动和其他功率控制电路中。该晶体管的主要优势在于其可靠的性能、较高的电流承载能力以及较好的线性特性,使得它成为工业与消费领域的理想选择。 芯片BDX34C的详细参数 BDX34C的几个关键参数包括: 1. 极间电压 (Vce):最大集电极-发射极电压为80V,能够承受高电压应用的需求。 2. 最大集电极电流 (Ic):最大集电极电流为15A,适合高功率应用。 3. 功率耗散 (Ptot):最大功率耗散为65W,这意味着它能够处理相对较大的功率负载,适合大部分工业应用场合。 4. 增益 (hFE):直流电流增益范围在20到80之间,这一特性使得BDX34C能够高效地放大输入信号,同时保持较低的失真水平。...

产品型号BDX34C的Datasheet PDF文件预览

BDX33B BDX33C  
BDX34B BDX34C  
COMPLEMENTARY SILICON POWER  
DARLINGTON TRANSISTORS  
DESCRIPTION  
The BDX33B and BDX33C are silicon  
Epitaxial-Base NPN power transistors in  
monolithic Darlington configuration mounted in  
Jedec TO-220 plastic package. They are intented  
for use in power linear and switching applications.  
The complementary PNP types are BDX34B and  
BDX34C respectively.  
3
2
1
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
R1 Typ. = 10 KΩ  
R2 Typ. = 150 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Unit  
NPN  
PNP  
BDX33B  
BDX34B  
80  
BDX33C  
BDX34C  
100  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Collector Current  
V
V
80  
100  
10  
A
ICM  
IB  
Collector Peak Current  
Base Current  
15  
0.25  
A
A
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
70  
W
oC  
oC  
Total Dissipation at Tc 25 C  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
For PNP types voltage and current values are negative.  
1/4  
October 1999  
BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C  
THERMAL DATA  
Rthj-case Thermal Resistance Junction-case  
1.78  
oC/W  
(Tcase = 25 oC unless otherwisespecified)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
BDX33B/34B  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
ICBO  
Collector Cut-off Current  
(IE = 0)  
for  
VCB = 80 V  
0.2  
0.2  
mA  
mA  
for BDX33C/34C VCB = 100V  
o
Tcase = 100 C  
for BDX33B/34B VCB = 80 V  
5
5
mA  
mA  
for BDX33C/34C  
VCB = 100 V  
BDX33B/34B  
ICEO  
Collector Cut-off Current  
(IB = 0)  
for  
VCE = 40 V  
VCE = 50V  
0.5  
0.5  
mA  
mA  
for BDX33C/34C  
o
Tcase = 100 C  
for BDX33B/34B  
VCE = 40 V  
VCE = 50 V  
10  
10  
mA  
mA  
BDX33C/34C  
for  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
(IC = 0)  
VEB = 5 V  
5
mA  
VCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining  
Voltage (IB = 0)  
IC =100 mA for BDX33B/34B  
for BDX33C/34C  
80  
100  
V
V
VCER(sus) Collector-emitter Sustaining  
IC = 100 mA for BDX33B/34B  
80  
100  
V
V
BDX33C/34C  
for  
Voltage (RBE =100 )  
VCEV(sus) Collector-emitter Sustaining  
Voltage (VBE =-1.5 V)  
IC = 100 mA for BDX33B/34B  
80  
100  
V
V
BDX33C/34C  
for  
VCE(sat)  
Collector-emitter Saturation  
Voltage  
IC = 3 A  
IB = 6 mA  
2.5  
2.5  
V
VBE  
hFE  
VF  
Base-emitter Voltage  
DC Current Gain  
IC = 3 A  
IC = 3 A  
IF = 8 A  
VCE = 3 V  
VCE = 3 V  
V
V
V
750  
100  
Parallel-Diode Forward  
Voltage  
4
hfe  
Small Signal Current Gain  
IC = 1 A VCE = 5 V f = 1MHz  
Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %  
For PNP types voltage and current values are negative.  
Safe Operating Area  
2/4  
BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C  
TO-220 MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
4.40  
1.23  
2.40  
TYP.  
MAX.  
4.60  
1.32  
2.72  
MIN.  
0.173  
0.048  
0.094  
MAX.  
0.181  
0.051  
0.107  
A
C
D
D1  
E
1.27  
0.050  
0.49  
0.61  
1.14  
1.14  
4.95  
2.4  
0.70  
0.88  
1.70  
1.70  
5.15  
2.7  
0.019  
0.024  
0.044  
0.044  
0.194  
0.094  
0.393  
0.027  
0.034  
0.067  
0.067  
0.203  
0.106  
0.409  
F
F1  
F2  
G
G1  
H2  
L2  
L4  
L5  
L6  
L7  
L9  
DIA.  
10.0  
10.40  
16.4  
0.645  
13.0  
2.65  
15.25  
6.2  
14.0  
2.95  
15.75  
6.6  
0.511  
0.104  
0.600  
0.244  
0.137  
0.147  
0.551  
0.116  
0.620  
0.260  
0.154  
0.151  
3.5  
3.93  
3.85  
3.75  
P011C  
3/4  
BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C  
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.
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BDX34C产品参数
型号:BDX34C
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:TRANSYS ELECTRONICS LTD
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.58
Base Number Matches:1
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