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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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BDX53BFI产品参数
型号:BDX53BFI
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.68
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):750
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:30 W
最大功率耗散 (Abs):30 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2 V
Base Number Matches:1
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