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| 型号: | BDY25A |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer |
| IHS 制造商： | COMSET SEMICONDUCTORS |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 87.5 W |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns |
| VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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