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| 型号: | BF257 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.12 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 5.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
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