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产品型号BFQ17的概述

BFQ17 芯片概述 BFQ17 是一款高频小信号晶体管,广泛用于RF(射频)和微波频段的应用。该器件通常用于放大和开关的场合,其工作频率范围可达几百兆赫兹,特别适合于低噪声放大器(LNA)、混频器和振荡器等高频电路中。BFQ17 的设计旨在提供较低的噪声系数,高增益以及良好的线性度,使其成为频率合成器和无线通信系统中的理想选择。 BFQ17 详细参数 BFQ17 的主要技术参数包括: - 最大集电极-发射极电压 (Vce): 45 V - 最大集电极电流 (Ic): 100 mA - 最大功耗 (Pd): 300 mW - 增益 (hFE): 20 - 60 (在不同的偏置条件下) - 工作频率: 3 GHz 及以上 - 噪声系数 (NF): 1.4 dB (取决于具体电路和应用) - 封装类型: SOT-23 这些参数使得 BFQ17 适应多样化的应用场合,如无线电通信、卫星通信、...

产品型号BFQ17的Datasheet PDF文件预览

DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFQ17  
NPN 1 GHz wideband transistor  
September 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC14  
Philips Semiconductors  
Product specification  
NPN 1 GHz wideband transistor  
BFQ17  
DESCRIPTION  
PINNING  
PIN  
NPN transistor in a SOT89 plastic  
envelope intended for application in  
thick and thin-film circuits. The  
transistor has extremely good  
intermodulation properties and a high  
power gain.  
DESCRIPTION  
Code: FA  
page  
1
2
3
emitter  
collector  
base  
1
2
3
Bottom view  
MBK514  
Fig.1 SOT89.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
ICM  
PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
collector-base voltage  
collector-emitter voltage  
peak collector current  
total power dissipation  
transition frequency  
open emitter  
open base  
40  
25  
300  
1
V
V
mA  
W
Ptot  
up to Ts = 145 °C (note 1)  
fT  
IC = 150 mA; VCE = 15 V; f = 500 MHz; 1.5  
GHz  
Tj = 25 °C  
Cre  
feedback capacitance  
IC = 10 mA; VCE = 15 V; f = 1 MHz;  
1.9  
pF  
Tamb = 25 °C  
LIMITING VALUES  
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL  
PARAMETER  
collector-base voltage  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCBO  
VCER  
VCEO  
VEBO  
IC  
open emitter  
BE 50 Ω  
open base  
40  
40  
25  
2
V
collector-emitter voltage  
collector-emitter voltage  
emitter-base voltage  
DC collector current  
peak collector current  
total power dissipation  
storage temperature  
junction temperature  
R
V
V
open collector  
V
150  
300  
1
mA  
mA  
W
°C  
°C  
ICM  
f > 1 MHz  
Ptot  
up to Ts = 145 °C (note 1)  
Tstg  
Tj  
65 150  
175  
Note  
1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector tab.  
September 1995  
2
Philips Semiconductors  
Product specification  
NPN 1 GHz wideband transistor  
BFQ17  
THERMAL RESISTANCE  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
THERMAL RESISTANCE  
Rth j-s  
thermal resistance from junction to  
soldering point  
up to Ts = 145 °C (note 1)  
30 K/W  
Note  
1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector tab.  
CHARACTERISTICS  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
collector cut-off current  
collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
CONDITIONS  
IE = 0; VCB = 20 V; Tj = 50 °C  
IC = 100 mA; IB = 10 mA  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
ICBO  
VCE sat  
hFE  
20  
0.5  
µA  
V
IC = 150 mA; VCE = 5 V  
25  
80  
Cc  
collector capacitance  
IE = ie = 0; VCB = 15 V; f = 1 MHz  
4
pF  
pF  
Cre  
feedback capacitance  
IC = 10 mA; VCE = 15 V;  
1.9  
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C  
fT  
transition frequency  
IC = 150 mA; VCE = 15 V;  
f = 500 MHz  
1.5  
16  
GHz  
dB  
GUM  
maximum unilateral power gain  
(note 1)  
IC = 60 mA; VCE = 15 V;  
f = 200 MHz; Tamb = 25 °C  
IC = 60 mA; VCE = 15 V;  
6.5  
dB  
f = 800 MHz; Tamb = 25 °C  
Note  
1. GUM is the maximum unilateral power gain, assuming S12 is zero and  
2
S21  
2
--------------------------------------------------------------  
GUM = 10 log  
dB.  
2
1 S11  
1 S22  
September 1995  
3
Philips Semiconductors  
Product specification  
NPN 1 GHz wideband transistor  
BFQ17  
MBB365  
MBB828  
160  
10  
handbook, halfpage  
handbook, halfpage  
C
c
(pF)  
h
FE  
8
6
4
120  
80  
40  
0
2
0
40  
0
100  
200  
0
10  
20  
30  
I
(mA)  
(V)  
C
V
CB  
IE = ie = 0; f = 1 MHz; Tj = 25 °C.  
VCE = 5 V; Tj = 25 °C.  
Fig.2 DC current gain as a function of collector  
current.  
Fig.3 Collector capacitance as a function of  
collector-base voltage.  
MBB364  
2
handbook, halfpage  
f
T
(GHz)  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
0
40  
80  
120  
160  
I
(mA)  
C
VCE = 15 V; f = 500 MHz; Tj = 25 °C.  
Fig.4 Transition frequency as a function of  
collector current.  
September 1995  
4
Philips Semiconductors  
Product specification  
NPN 1 GHz wideband transistor  
BFQ17  
PACKAGE OUTLINE  
Plastic surface mounted package; collector pad for good heat transfer; 3 leads  
SOT89  
B
A
D
b
3
E
L
H
E
1
2
3
c
b
2
w
M
b
1
e
1
e
0
2
4 mm  
scale  
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)  
L
min.  
UNIT  
A
b
b
b
c
D
E
e
e
H
E
w
1
2
3
1
1.6  
1.4  
0.48  
0.35  
0.53  
0.40  
1.8  
1.4  
0.44  
0.37  
4.6  
4.4  
2.6  
2.4  
4.25  
3.75  
mm  
3.0  
1.5  
0.8  
0.13  
REFERENCES  
JEDEC  
EUROPEAN  
PROJECTION  
OUTLINE  
VERSION  
ISSUE DATE  
IEC  
EIAJ  
SOT89  
97-02-28  
September 1995  
5
Philips Semiconductors  
Product specification  
NPN 1 GHz wideband transistor  
BFQ17  
DEFINITIONS  
Data Sheet Status  
Objective specification  
Preliminary specification  
Product specification  
This data sheet contains target or goal specifications for product development.  
This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.  
This data sheet contains final product specifications.  
Limiting values  
Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or  
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation  
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification  
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.  
Application information  
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.  
LIFE SUPPORT APPLICATIONS  
These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these  
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for  
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such  
improper use or sale.  
September 1995  
6
配单直通车
BFQ17产品参数
型号:BFQ17
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.63
最大集电极电流 (IC):0.15 A
配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):25
JESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):1200 MHz
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
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