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BGD812产品参数
型号:BGD812
Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:NXP SEMICONDUCTORS
包装说明:SOT115J, 7 PIN
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71
其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
特性阻抗:75 Ω
构造:MODULE
增益:19 dB
最大工作频率:870 MHz
最小工作频率:40 MHz
最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-20 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SOT-115J
电源:24 V
射频/微波设备类型:WIDE BAND HIGH POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率:410 mA
技术:HYBRID
Base Number Matches:1
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