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| 型号: | BGD885 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | SOT-115D |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
| 特性阻抗： | 75 Ω |
| 构造： | MODULE |
| 增益： | 16.5 dB |
| JESD-609代码： | e4 |
| 最大工作频率： | 860 MHz |
| 最小工作频率： | 40 MHz |
| 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码： | SOT-115D |
| 电源： | 24 V |
| 射频/微波设备类型： | WIDE BAND MEDIUM POWER |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers |
| 最大压摆率： | 450 mA |
| 技术： | HYBRID |
| 端子面层： | Gold (Au) |
| Base Number Matches： | 1 |
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