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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 专营射频微波十五年,只做原装进口,品质靠谱,价格优势
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家AmpleonUSAInc 
  • 封装LDMOST 
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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 长期供应原装现货实单可谈
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BLF645产品参数
型号:BLF645
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NXP SEMICONDUCTORS
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F5
针数:5
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.65
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):32 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F5
元件数量:2
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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