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  • BR24L08FV-E2图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ROHM-罗姆 
  • 封装MSOP-8 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • BR24L08FV-E2图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • BR24L08FV-E2
  • 数量38824 
  • 厂家ROHM 
  • 封装MSOP8 
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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 数量35600 
  • 厂家ROHM 
  • 封装MSOP8 
  • 批号21+ 
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BR24L08FV-W产品参数
型号:BR24L08FV-W
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROHM CO LTD
零件包装代码:SOIC
包装说明:ROHS COMPLIANT, SSOP-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.57
Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DMMR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e2
长度:4.4 mm
内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:8
字数:1024 words
字数代码:1000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:1KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.5 mm
串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.002 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
宽度:3 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE
Base Number Matches:1
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