[ PHILIPS ] BSP126 Datasheet下载

厂商:

NXP SEMICONDUCTORS

PHILIPS

NXP SEMICONDUCTORS

描述:

N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

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BSP126,115 品牌:Nexperia USA Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BSP126,115 图片
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
375mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
120pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
标准包装
1
其它名称
1727-4927-6 568-6219-6 568-6219-6-ND

[ ETC ] BSP126T/R Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V( BR ) DSS | 350MA I( D) | SOT- 223\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223

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[ PHILIPS ] BSP127 Datasheet下载

厂商:

NXP SEMICONDUCTORS

PHILIPS

NXP SEMICONDUCTORS

描述:

N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

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[ ETC ] BSP127T/R Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 270V V( BR ) DSS | 350MA I( D) | SOT- 223\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223

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[ PHILIPS ] BSP128 Datasheet下载

厂商:

NXP SEMICONDUCTORS

PHILIPS

NXP SEMICONDUCTORS

描述:

N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

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[ ETC ] BSP128T/R Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS | 350MA I( D) | SOT- 223\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223

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[ INFINEON ] BSP129 Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

SIPMOS小信号晶体管( N沟道耗尽型高动态电阻)

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

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[ INFINEON ] BSP129 Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

SIPMOS小信号三极管

SIPMOS Small-Signal-Transistor

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BSP126,115 品牌:Nexperia USA Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BSP126,115 图片
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
375mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
120pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
标准包装
1,000
其它名称
1727-4927-2 568-6219-2 568-6219-2-ND 934000540115 BSP126 T/R BSP126 T/R-ND BSP126,115-ND

BSP126,115 品牌:Nexperia USA Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BSP126,115 图片
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
375mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
120pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
标准包装
1
其它名称
1727-4927-1 568-6219-1 568-6219-1-ND
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • BSP126
  • N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管
    N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

  • PHILIPS
  • 总12页

  • 2.
  • BSP126T/R
  • 晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V( BR ) DSS | 350MA I( D) | SOT- 223\n
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223

  • ETC
  • 总6页

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