[ INFINEON ] BSP149 Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

SIPMOS小信号三极管

SIPMOS Small-Signal-Transistor

下载:
下载Datasheet文档资料

BSP149 E6327 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BSP149 E6327 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
660mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.8 欧姆 @ 660mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
14nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
430pF @ 25V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
标准包装
1,000
其它名称
BSP149 E6327-ND BSP149E6327 BSP149E6327T SP000011104
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

[ INFINEON ] BSP149 Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

SIPMOS小信号三极管

SIPMOS Small-Signal-Transistor

下载:
下载Datasheet文档资料

[ INFINEON ] BSP149 Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

SIPMOS小信号晶体管( N沟道耗尽型高动态电阻)

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

下载:
下载Datasheet文档资料

[ INFINEON ] BSP149_05 Datasheet下载

厂商:

INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON

INFINEON TECHNOLOGIES AG

描述:

SIPMOS小信号三极管

SIPMOS Small-Signal-Transistor

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ETC ] BSP15 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

SOT223 PNP硅平面高压晶体管

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ETC ] BSP15 Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

SOT223 PNP硅平面高压晶体管

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

下载:
下载Datasheet文档资料

[ ZETEX ] BSP15 Datasheet下载

厂商:

ZETEX SEMICONDUCTORS

ZETEX

ZETEX SEMICONDUCTORS

描述:

SOT223 PNP硅平面高压晶体管

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

下载:
下载Datasheet文档资料

[ PHILIPS ] BSP152 Datasheet下载

厂商:

NXP SEMICONDUCTORS

PHILIPS

NXP SEMICONDUCTORS

描述:

N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

下载:
下载Datasheet文档资料

BSP149 E6906 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BSP149 E6906 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
带卷(TR)
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
660mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.8 欧姆 @ 660mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
14nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
430pF @ 25V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
标准包装
1,000
其它名称
BSP149 E6906-ND BSP149E6906 BSP149E6906T SP000055414

BSP149H6327XTSA1 品牌:Infineon Technologies

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BSP149H6327XTSA1 图片
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
660mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.8 欧姆 @ 660mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
14nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
430pF @ 25V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
标准包装
1,000
其它名称
BSP149H6327XTSA1TR SP001058818
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • BSP149
  • SIPMOS小信号三极管
    SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • INFINEON
  • 总9页

  • 2.
  • BSP149
  • SIPMOS小信号三极管
    SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • INFINEON
  • 总9页

  • 3.
  • BSP149
  • SIPMOS小信号晶体管( N沟道耗尽型高动态电阻)
    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

  • INFINEON
  • 总7页

  • 4.
  • BSP149_05
  • SIPMOS小信号三极管
    SIPMOS Small-Signal-Transistor

  • INFINEON
  • 总9页

BSP149相关资料文章和技术文档