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  • BS62LV2001STI-70图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 八零友创集团

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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 斯普仑科技

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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BS62LV2006DCG55产品参数
型号:BS62LV2006DCG55
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:BRILLIANCE SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:DIE
包装说明:DIE,
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82
最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:X-XUUC-N
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE
封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:PARALLEL
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.4 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER
Base Number Matches:1
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