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  • BS62LV256-70LL图
  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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BS62LV2563JC70产品参数
型号:BS62LV2563JC70
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:BRILLIANCE SEMICONDUCTOR INC
包装说明:SOJ, SOJ28,.34
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:2e-7 A
最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.02 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
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