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BS62LV4006EC55产品参数
型号:BS62LV4006EC55
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:BRILLIANCE SEMICONDUCTOR INC
包装说明:TSOP, TSOP32,.46
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
端子数量:32
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
电源:2.4/5.5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0000013 A
最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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