BSH201,215产品参数

品牌：Nexperia USA Inc.

描述：MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23

详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 300mA（Ta） 417mW（Ta） TO-236AB（SOT23）

制造商：Nexperia USA Inc.

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 160mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：70pF @ 48V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：417mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-236AB（SOT23）

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：1727-4926-2 568-6217-2 568-6217-2-ND 934054717215 BSH201 T/R BSH201 T/R-ND BSH201,215-ND BSH201215