BSL211SP产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP

详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6

制造商：Infineon Technologies

系列：OptiMOS™

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 4.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：654pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TSOP6-6

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

标准包装：3,000

其它名称：BSL211SPINTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）