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BSL211SP产品参数
型号:BSL211SP
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
零件包装代码:TSOP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.29
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):26 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4.7 A
最大漏极电流 (ID):4.7 A
最大漏源导通电阻:0.067 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):18.8 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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