BSM100GB170DLC全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

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产品型号BSM100GB170DLC的概述

BSM100GB170DLC 芯片概述 BSM100GB170DLC 是一款基于碳化硅技术的高性能功率模块，广泛应用于电力电子领域。该模块采用了先进的设计与制造工艺，旨在为工业和可再生能源等应用提供高效率的解决方案。BSM100GB170DLC 能够在高温、高压环境下稳定工作，表现出优异的热管理特性和抗电磁干扰能力，适合高频开关应用。详细参数 BSM100GB170DLC 的关键电气参数包括： - 额定电压：1700V - 额定电流：100A - 开关频率：可支持高达25kHz的开关频率，适用于高效变换和调制。 - 热导率：其优异的热导率使得散热设计更加简便，保障了模块的稳定运行。 - 工作温度范围：模块设计的工作温度范围为-40℃到+150℃，体现了其在极端环境中的可靠性。 - 封装尺寸：其标准封装尺寸为4.65 × 5.57 × 0.61 inches 的框架设计。这些参数使得...

产品型号BSM100GB170DLC的Datasheet PDF文件预览

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 100 GB 170 DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1700

T_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

100

200

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collctor current

t_P= 1 ms, T_C=80°C

T_C=25°C, Transistor

I_CRM

P_tot

V_GES

I_F

200

960

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

+/- 20V

100

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I_FRM

tp = 1 ms

200

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

2.800

3,4

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 100A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,6

3,1

3,2

3,6

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 100A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 5mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15V ... +15V

V_GE(th)

4,5

5,5

1,2

6,5

Gateladung

gate charge

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

0,3

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

0,05

0,2

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

200

prepared by: Regine Mallwitz

date of publication: 28.11.2000

revision: 2 (Series)

approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000

1(8)

BSM100GB170DLC

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 100 GB 170 DLC

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 100A, V_CE= 900V

_GE= ±15V, R_G= 15Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 15Ω, T_vj= 125°C

_C= 100A, V_CE= 900V

_GE= ±15V, R_G= 15Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 15Ω, T_vj= 125°C

_C= 100A, V_CE= 900V

_GE= ±15V, R_G= 15Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 15Ω, T_vj= 125°C

_C= 100A, V_CE= 900V

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn on delay time (inductive load)

t_d,on

0,1

µs

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

0,1

µs

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

0,8

0,9

µs

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

V_GE= ±15V, R_G= 15Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 15Ω, T_vj= 125°C

t_f

0,03

µs

_C= 100A, V_CE= 900V, V_GE= 15V

R_G= 15Ω, T_vj= 125°C, L_S= 60nH

_C= 100A, V_CE= 900V, V_GE= 15V

R_G= 15Ω, T_vj= 125°C, L_S= 60nH

_P≤ 10µsec, V_GE≤ 15V, R_G= 15Ω

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

E_on

E_off

mWs

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

Kurzschlußverhalten

SC Data

T_Vj≤125°C, V_CC=1000V, V_CEmax=V_CES-L_sCE·dI/dt

I_SC

400

Modulinduktivität

stray inductance module

L_sCE

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

module lead resistance, terminals - chip

R_CC’+EE’

pro Zweig / per arm

0,6

mΩ

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Diode / Diode

I_F= 100A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

Durchlaßspannung

V_F

I_RM

Q_r

2,1

2,5

forward voltage

I_F= 100A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F= 100A, - di_F/dt = 1100A/µsec

V_R= 900V, VGE = -10V, T_vj= 25°C

V_R= 900V, VGE = -10V, T_vj= 125°C

I_F= 100A, - di_F/dt = 1100A/µsec

V_R= 900V, VGE = -10V, T_vj= 25°C

V_R= 900V, VGE = -10V, T_vj= 125°C

I_F= 100A, - di_F/dt = 1100A/µsec

V_R= 900V, VGE = -10V, T_vj= 25°C

V_R= 900V, VGE = -10V, T_vj= 125°C

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

105

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

µAs

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

mWs

2(8)

BSM100GB170DLC

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 100 GB 170 DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min.

typ. max.

R_thJC

Transistor / transistor, DC

Diode/Diode, DC

0,13

0,28

K/W

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCK

0,012

150

K/W

°C

_Paste≤ 50µm / d_grease≤ 50µm

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_vj

Betriebstemperatur

operation temperature

T_op

-40

125

°C

Lagertemperatur

storage temperature

T_stg

125

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

internal insulation

Al₂O₃

Kriechstrecke

creepage distance

Luftstrecke

clearance

CTI

comperative tracking index

max.

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

terminal connection torque

terminals M6

max.

Gewicht

weight

420

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.

Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

3(8)

BSM100GB170DLC

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 100 GB 170 DLC

Ausgangskennlinie (typisch)

Output characteristic (typical)

I_C= f (V_CE)

V_GE= 15V

220

200

180

160

140

120

100

Tj = 25°C

Tj = 125°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

Output characteristic (typical)

I_C= f (V_CE)

T_vj= 125°C

220

200

180

160

140

120

100

VGE = 19V

VGE = 15V

VGE = 13V

VGE = 11V

VGE = 9V

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

4(8)

BSM100GB170DLC

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 100 GB 170 DLC

Übertragungscharakteristik (typisch)

Transfer characteristic (typical)

I_C= f (V_GE)

V_CE= 20V

220

200

180

160

140

120

100

Tj = 25°C

Tj = 125°C

V_GE[V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)

I_F= f (V_F)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

220

200

180

160

140

120

100

Tj = 25°C

Tj = 125°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

V_F[V]

5(8)

BSM100GB170DLC

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 100 GB 170 DLC

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f (I_C) , E_off= f (I_C) , E_rec= f (I_C)

R_gon= R_goff=15Ω, V_CE= 900V, T_j= 125°C

200

180

160

140

120

100

Eoff

Eon

Erec

100

120

140

160

180

200

220

I_C[A]

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f (R_G) , E_off= f (R_G) , E_rec= f (R_G)

I_C= 100A , V_CE= 900V , T_j= 125°C

120

100

Eoff

Eon

Erec

R_G[Ω]

6(8)

BSM100GB170DLC

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 100 GB 170 DLC

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

0,1

Zth:Diode

0,01

Zth:IGBT

0,001

0,01

0,1

100

t [sec]

r_i[K/kW]

τ_i[sec]

14,51

0,0047

41,96

0,036

62,52

0,061

11,01

0,467

: IGBT

: Diode

r_i[K/kW]

52,12

103,26

0,0473

103,26

0,0473

21,27

τ_i[sec]

: Diode

0,0062

0,2322

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA)

R_g= 15 Ohm, T_vj= 125°C

200

IC,Modul

IC,Chip

150

100

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

V_CE[V]

7(8)

BSM100GB170DLC

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM 100 GB 170 DLC

8(8)

BSM100GB170DLC

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der

bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere

eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen

Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu

den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments

will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect

to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted

exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its

characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific

application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For

those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please

contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.

Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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BSM100GB170DLC产品参数

型号:	BSM100GB170DLC
生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65
外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	200 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2
端子数量：	7
最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	960 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	930 ns
标称接通时间 (ton)：	200 ns
VCEsat-Max：	3.2 V
Base Number Matches：	1

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