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| 型号: | BSM10GD60DN2 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-T17 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-T17 |
| 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 17 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 210 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 370 ns |
| 标称断开时间 (toff)： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 40 ns |
| VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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