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  • BSM20GD60DN1E图
  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • BSM20GD60DN1E
  • 数量455 
  • 厂家EUPEC 
  • 封装*原装模块 
  • 批号2021+ 
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  • BSM20GD60DN1E3165图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BSM20GD60DN1E3165
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  • BSM20GD60DN1E图
  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • BSM20GD60DN1E
  • 数量6582 
  • 厂家EUPEC【模块专卖★价格最低】 
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BSM20GD60DN2产品参数
型号:BSM20GD60DN2
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SIEMENS A G
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-T17
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-T17
元件数量:6
端子数量:17
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:540 W
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.7 V
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