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  • BSM300G120DN2图
  • 北京创易科技有限公司

     该会员已使用本站5年以上
  • BSM300G120DN2
  • 数量585 
  • 厂家infineon 
  • 封装标准封装 
  • 批号22+ 
  • 全新原装现货,010-51659567 易经理
  • QQ:156807666
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配单直通车
BSM300GA100D产品参数
型号:BSM300GA100D
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SIEMENS A G
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.37
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):300 A
集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6.2 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:2500 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
最大开启时间(吨):270 ns
标称接通时间 (ton):220 ns
VCEsat-Max:3.3 V
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