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BSP123L6327产品参数
型号:BSP123L6327
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.13
Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.37 A
最大漏极电流 (ID):0.37 A
最大漏源导通电阻:6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):1.48 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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