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  • 深圳市和诚半导体有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 厂家NXP(恩智浦) 
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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 厂家NXP 
  • 封装SOT223 
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  • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 厂家NEXPERIA/安世 
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  • ▉十二年专注▉ 100%全新原装正品 正规渠道订货 长期现货供应
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  • 深圳市创德丰电子有限公司

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  • 厂家Nexperia 
  • 封装SOT223 
  • 批号1622+ 
  • 一定原装房间现货
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  • 深圳市聚利源实业有限公司

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  • 厂家INFINEON/英飞凌 
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  • 只售正品 原装现货
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  • 深圳市拓森弘电子有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-223 
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  • 全新原装正品,库存现货实报
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家恩智浦原厂|原厂NXP 
  • 封装原厂封装 
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  • 原厂渠道,全新原装现货,欢迎查询!
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • BSP52T1G
  • 数量6675 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-223 
  • 批号21+ 
  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:4元
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家NXP/恩智浦 
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  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 0755-23605827 QQ:2881495753
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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-223 
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  • 原装原厂 现货现卖
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 厂家Infineon/英飞凌 
  • 封装TO223 
  • 批号24+ 
  • ★原装真实库存★13点税!
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装N/A 
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  • 只做原装 实单来谈★★☆
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装NA 
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  • 深圳市和诚半导体有限公司

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  • BSP52T1
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  • 厂家FREESCALE 
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 厂家Infineon 
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  • 批号2020+ 
  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供货
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家NXP/恩智浦 
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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装TO223 
  • 批号24+ 
  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
  • QQ:198857245QQ:198857245 复制
  • 0755-82865294 QQ:198857245
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量12736 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装SOT-22.. 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货特价
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  • 0755-82519391 QQ:2885348339QQ:2885348317
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • BSP52T1G
  • 数量127048 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT223 
  • 批号23+ 
  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 0755-83061789 QQ:3007947087QQ:3007947087
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • BSP52
  • 数量9800 
  • 厂家NXP/恩智浦 
  • 封装SOT223 
  • 批号23+ 
  • 进口原装原盘原标签假一赔十
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  • 0755-82702619 QQ:2103443489QQ:2924695115
  • BSP52图
  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 厂家PHILIPS/飞利浦 
  • 封装SOT223 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 0755-22968581 QQ:2881498351
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  • 深圳市凯鑫跃电子有限公司

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  • 厂家NXP 
  • 封装SOT-223 
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  • 进口全新原装无铅房间现货
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  • 集好芯城

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  • 数量1068 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装 
  • 批号最新批次 
  • 原厂原装公司现货
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 厂家FAI 
  • 封装SOT223 
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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 厂家 
  • 封装SOT89 
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  • YF格现货有接受价格就出
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量58728 
  • 厂家PHILIPS 
  • 封装SOT223 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • BSP52
  • 数量12500 
  • 厂家NEXPERIA/安世 
  • 封装NA 
  • 批号2023+ 
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 数量4500 
  • 厂家ON/phil 
  • 封装SOT-223 
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  • 全新原装现货特价销售!
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产品型号BSP52的概述

芯片BSP52的概述 BSP52是一款广泛应用于电子电路中的小信号功率晶体管,属于NPN型晶体管,主要用于开关和放大电路中。这款芯片由于其高效的能量转换能力和良好的电流放大特性,使其在通信设备、音频放大器及其他电子产品中得到了广泛应用。 BSP52的构造主要基于硅材料,其参数适用于多种工作环境,能够在较大的温度范围内稳定工作,从而保证了在各种气候条件下的可靠性。由于其结构简单,成本低廉,BSP52成为电子工程师和设计师们在多种电路设计中的首选元件之一。 芯片BSP52的详细参数 BSP52的关键参数包括: - 器件类型: NPN型小信号功率晶体管 - 最大集电极-发射极电压 (Vce): 50V - 最大集电极电流 (Ic): 1.5A - 最大耗散功率 (Ptot): 625mW(在环境温度25℃下) - 增益带宽积 (fT): 100MHz - 直流电流增益 (hFE): 100-...

产品型号BSP52的Datasheet PDF文件预览

BSP52  
NPN Darlington Transistor  
4
This device is designed for applications requiring extremly high current  
gain at collector currents to 500mA.  
Sourced from process 03.  
3
2
1
SOT-223  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
80  
CES  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
90  
V
CBO  
EBO  
5
V
I
- Continuous  
800  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ +150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
= 100µA, I = 0  
90  
5
V
V
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CES  
C
E
E
= 10µA, I = 0  
C
I
I
V
V
= 80V, V = 0  
10  
10  
µA  
µA  
CE  
EB  
BE  
Emitter Cutoff Current  
= 4.0V, I = 0  
C
EBO  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
= 150mA, V = 10V  
1000  
2000  
FE  
C
C
CE  
= 500mA, V = 10V  
CE  
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 500mA, I = 0.5mA  
1.3  
1.9  
V
V
CE  
C
C
B
= 500mA, I = 0.5mA  
BE  
B
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
1000  
8.0  
mW  
mW/°C  
D
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
°C/W  
θJA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2002  
Package Demensions  
SOT-223  
3.00 ±0.10  
MAX1.80  
+0.04  
–0.02  
0.06  
2.30 TYP  
4.60 ±0.25  
0.70 ±0.10  
°
~10  
°
0
+0.10  
–0.05  
(0.95)  
(0.95)  
0.25  
6.50 ±0.20  
Dimensions in Millimeters  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2002  
TRADEMARKS  
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not  
intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
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which, (a) are intended for surgical implant into the body,  
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2. A critical component is any component of a life support  
device or system whose failure to perform can be  
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device or system, or to affect its safety or effectiveness.  
PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
Definition of Terms  
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Product Status  
Definition  
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Formative or In  
Design  
This datasheet contains the design specifications for  
product development. Specifications may change in  
any manner without notice.  
Preliminary  
First Production  
This datasheet contains preliminary data, and  
supplementary data will be published at a later date.  
Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
changes at any time without notice in order to improve  
design.  
No Identification Needed  
Obsolete  
Full Production  
This datasheet contains final specifications. Fairchild  
Semiconductor reserves the right to make changes at  
any time without notice in order to improve design.  
Not In Production  
This datasheet contains specifications on a product  
that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. H7  
配单直通车
BSP52产品参数
型号:BSP52
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SIEMENS A G
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.16
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):2000
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1.5 W
最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):1500 ns
最大开启时间(吨):400 ns
VCEsat-Max:1.8 V
Base Number Matches:1
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