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| 型号: | BSR61 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 700 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns |
| VCEsat-Max： | 1.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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