BSS123产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：170mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 170mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：73pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23-3

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

基本零件编号：BSS123

标准包装：3,000

其它名称：BSS123N BSS123NTR