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TYSEMI BSS138
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VDS (V) = 50V ID = 0.22 A RDS(ON) 3.5 (VGS = 10V) RDS(ON) 6 (VGS = 4.5V)
VDS (V ) = 50V ID = 0.22的RDS(ON ), 3.5 ( VGS = 10V ) RDS ( ON ) 6 ( VGS = 4.5V )
PANJIT BSS138
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50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
50V N沟道增强型MOSFET - ESD保护
DIODES BSS138
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
NCEPOWER BSS138
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NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
NCE N沟道增强型功率MOSFET
FAIRCHILD BSS138
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
UTC-IC BSS138
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
N沟道逻辑电平增强模式
SILIKRON BSS138
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Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
直接逻辑电平接口: TTL / CMOS
DIODES BSS138
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
DIODES BSS138
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Small Signal MOSFET N-Channel
小信号MOSFET N通道
DIODES BSS138
中文翻译
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
CET BSS138
中文翻译
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
FAIRCHILD BSS138
中文翻译
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
INFINEON BSS138
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
SIPMOS小信号晶体管( N沟道增强模式的逻辑电平)
晶体晶体管
ZETEX BSS138
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
N沟道增强型垂直DMOS FET
TI BSS138/L99Z 220mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
开关光电二极管晶体管
DIODES BSS138_08
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
DIODES BSS138_1
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
UTC-IC BSS138_11
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
N沟道逻辑电平增强模式
FAIRCHILD BSS138_NL
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
DIODES BSS138-7
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
DIODES BSS138-7-F
中文翻译
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
DIODES BSS138-7-F
中文翻译
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型网络场效晶体管
晶体晶体管
PHILIPS BSS138BK
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60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET
60 V , 360毫安N沟道沟槽MOSFET
PHILIPS BSS138BK215
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60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET
60 V , 360毫安N沟道沟槽MOSFET
PHILIPS BSS138BKW
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60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET
60 V , 320毫安N沟道沟槽MOSFET
DIODES BSS138DW
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
双N沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
DIODES BSS138DW
中文翻译
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
双N沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
DIODES BSS138DW
中文翻译
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
双N沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
DIODES BSS138DW_09
中文翻译
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
双N沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
DIODES BSS138DW_1
中文翻译
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
双N沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
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BSS138详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.59
Is Samacsys
N
配置
Single
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码
e3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
Base Number Matches
1
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