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ONSEMI BSS138LT1G
中文翻译
Power MOSFET 200 mA, 50 V
功率MOSFET 200毫安, 50 V
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
ONSEMI BSS138LT1G
中文翻译
Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
功率MOSFET 200毫安, 50 V的N沟道SOT- 23
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
ONSEMI BSS138LT1G
中文翻译
Power MOSFET 200 mA, 50 V
功率MOSFET 200毫安, 50 V
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC

BSS138LT1G详细参数

Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
IHS 制造商
ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
制造商包装代码
318-08
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
Factory Lead Time
1 week
风险等级
0.48
Samacsys Confidence
3
Samacsys Status
Released
2D Presentation
Schematic Symbol
PCB Footprint
3D View
Samacsys PartID
224525
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count
3
Samacsys Part Category
MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category
SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name
SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 ISSUE AS
Samacsys Released Date
2015-07-28 06:45:00
Is Samacsys
N
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2 A
最大漏极电流 (ID)
0.2 A
最大漏源导通电阻
3.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
5 pF
JEDEC-95代码
TO-236
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.225 W
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Powers
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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