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产品型号BSS138NH6327的Datasheet PDF文件预览

BSS138N  
SIPMOS® Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
VDS  
60  
V
Ω
A
• N-channel  
RDS(on),max  
ID  
3.5  
• Enhancement mode  
0.23  
• Logic level  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead-plating; RoHS compliant  
• Qualified according to AEC Q101  
• Halogen free according to IEC61249-2-21  
PG-SOT-23  
Type  
Package  
Tape and Reel  
Marking  
SKs  
BSS138N  
BSS138N  
PG-SOT-23 H6327: 3000  
PG-SOT-23 H6433: 10000  
SKs  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
T A=25 °C  
Continuous drain current  
0.23  
0.18  
0.92  
A
I D,pulse  
dv /dt  
V GS  
Pulsed drain current  
I D=0.23 A, V DS=48 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=150 °C  
Gate source voltage  
±20  
Class 0 (<250V)  
0.36  
ESD sensitivity  
JESD22-A114 (HBM)  
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 2.86  
page 1  
2012-04-17  
BSS138N  
Unit  
Values  
typ.  
Parameter  
Symbol Conditions  
min.  
max.  
Thermal characteristics  
Thermal resistance,  
junction - minimal footprint  
R thJA  
-
-
350 K/W  
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Static characteristics  
V (BR)DSS V GS= 0 V, I D=250 µA  
V GS(th) V GS=V DS, I D=26 µA  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
60  
0.6  
-
-
1.0  
-
-
V
1.4  
0.1  
V DS=60 V,  
I D (off)  
Drain-source leakage current  
µA  
V
GS=0 V, T j=25 °C  
V
V
DS=60 V,  
GS=0 V, T j=150 °C  
-
-
5
I GSS  
V GS=20 V, V DS=0 V  
Gate-source leakage current  
-
-
1
10  
nA  
R DS(on) V GS=4.5 V, I D=0.03 A  
Drain-source on-state resistance  
3.3  
4.0  
Ω
V
V
GS=4.5 V, I D=0.19 A  
GS=10 V, I D=0.23 A  
-
-
3.5  
2.2  
0.2  
6.0  
3.5  
-
|V DS|>2|I D|R DS(on)max  
I D=0.18 A  
,
g fs  
Transconductance  
0.1  
S
Rev. 2.86  
page 2  
2012-04-17  
BSS138N  
Unit  
Values  
typ.  
Parameter  
Symbol Conditions  
min.  
max.  
Dynamic characteristics  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
C iss  
-
-
-
-
-
-
-
32  
7.2  
2.8  
2.3  
3.0  
6.7  
8.2  
41  
9.5  
3.8  
3.5  
4.5  
10  
pF  
ns  
V
GS=0 V, V DS=25 V,  
C oss  
Crss  
t d(on)  
t r  
f =1 MHz  
V
DD=30 V, V GS=10 V,  
I D=0.23 A, R G=6 Ω  
t d(off)  
t f  
Turn-off delay time  
Fall time  
12.3  
Gate Charge Characteristics  
Gate to source charge  
Gate to drain charge  
Gate charge total  
Q gs  
-
-
-
-
0.10  
0.3  
1.0  
3.3  
0.14 nC  
0.4  
Q gd  
V
V
DD=48 V, I D=0.23 A,  
GS=0 to 10 V  
Q g  
1.4  
V plateau  
Gate plateau voltage  
-
V
A
Reverse Diode  
I S  
Diode continous forward current  
Diode pulse current  
-
-
-
-
0.23  
0.92  
T A=25 °C  
I S,pulse  
V GS=0 V, I F=0.23 A,  
T j=25 °C  
V SD  
Diode forward voltage  
-
0.83  
1.2  
V
t rr  
Reverse recovery time  
-
-
9.1  
3.3  
14.5 ns  
V R=30 V, I F=0.23 A,  
di F/dt =100 A/µs  
Q rr  
Reverse recovery charge  
5
nC  
Rev. 2.86  
page 3  
2012-04-17  
BSS138N  
1 Power dissipation  
2 Drain current  
P tot=f(T A)  
I D=f(T A); V GS10 V  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0.25  
0.2  
0.15  
0.1  
0.05  
0
0
40  
80  
120  
160  
0
40  
80  
120  
160  
TA [°C]  
TA [°C]  
3 Safe operating area  
I D=f(V DS); T A=25 °C; D =0  
parameter: t p  
4 Max. transient thermal impedance  
Z thJA=f(t p)  
parameter: D =t p/T  
101  
103  
limited by on-state  
resistance  
10 µs  
0.5  
100  
10-1  
10-2  
102  
100 µs  
0.2  
1 ms  
0.1  
10 ms  
0.05  
0.02  
101  
100 ms  
DC  
0.01  
single pulse  
10-3  
1
100  
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101  
10  
100  
VDS [V]  
tp [s]  
Rev. 2.86  
page 4  
2012-04-17  
BSS138N  
5 Typ. output characteristics  
I D=f(V DS); T j=25 °C  
6 Typ. drain-source on resistance  
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C  
parameter: V GS  
parameter: V GS  
0.6  
10  
2.9 V 3.2 V  
3.5 V  
4 V  
10 V  
7 V  
5 V  
4.5 V  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
8
6
4
2
0
4 V  
3.5 V  
4.5 V  
5 V  
3.2 V  
2.9 V  
7 V  
10 V  
0
1
2
3
4
5
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
VDS [V]  
ID [A]  
7 Typ. transfer characteristics  
8 Typ. forward transconductance  
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max  
g fs=f(I D); T j=25 °C  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0.4  
0.35  
0.3  
0.25  
0.2  
0.15  
0.1  
0.05  
0
0
1
2
3
4
5
0.00  
0.10  
0.20  
ID [A]  
0.30  
0.40  
VGS [V]  
Rev. 2.86  
page 5  
2012-04-17  
BSS138N  
9 Drain-source on-state resistance  
10 Typ. gate threshold voltage  
V GS(th)=f(T j); V DS=VGS; I D=26 µA  
parameter: I D  
R
DS(on)=f(T j); I D=0.23 A; V GS=10 V  
8
2
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
6
98 %  
typ  
98 %  
4
typ  
2 %  
2
0
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
Tj [°C]  
Tj [°C]  
11 Typ. capacitances  
12 Forward characteristics of reverse diode  
I F=f(V SD  
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz; Tj=25°C  
)
parameter: T j  
102  
100  
150 °C, 98%  
25 °C  
25 °C, 98%  
150 °C  
Ciss  
10-1  
101  
Coss  
Crss  
10-2  
100  
10-3  
0
0
10  
20  
30  
0.4  
0.8  
1.2  
VSD [V]  
1.6  
2
2.4  
VDS [V]  
Rev. 2.86  
page 6  
2012-04-17  
BSS138N  
13 Typ. gate charge  
GS=f(Q gate); I D=0.23 A pulsed  
14 Drain-source breakdown voltage  
V
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA  
parameter: V DD  
70  
65  
60  
55  
50  
12  
30 V  
10  
8
48 V  
12 V  
6
4
2
0
0
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
Qgate [nC]  
Tj [°C]  
Rev. 2.86  
page 7  
2012-04-17  
BSS138N  
Package Outline:  
Footprint:  
Packaging:  
Dimensions in mm  
Rev. 2.86  
page 8  
2012-04-17  
BSS138N  
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Infineon Technologies AG  
Bereich Kommunikation  
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D-81541 München  
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page 9  
2012-04-17  
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