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TI BSS84 130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NXP BSS84
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P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
P沟道增强型垂直DMOS晶体管
晶体晶体管
NXP BSS84
中文翻译
P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
P沟道增强型垂直DMOS晶体管
晶体晶体管
PANJIT BSS84
中文翻译
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
P沟道增强型MOSFET
PANJIT BSS84
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
PANJIT BSS84
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Small Signal MOSFET P-Channel
小信号MOSFET P通道
FAIRCHILD BSS84
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
DIODES BSS84
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
CET BSS84
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET
P沟道增强型MOSFET
FAIRCHILD BSS84
中文翻译
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
INFINEON BSS84
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SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
SIPMOS小信号晶体管(P沟道增强模式的逻辑电平)
晶体晶体管
ZETEX BSS84
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
P沟道增强型垂直DMOS FET
PHILIPS BSS84
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管
晶体晶体管
PHILIPS BSS84.215
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P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
P沟道增强型垂直DMOS晶体管
晶体晶体管
NXP BSS84/DG
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P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
P沟道增强型垂直DMOS晶体管
晶体晶体管
NXP BSS84/DG
中文翻译
P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
P沟道增强型垂直DMOS晶体管
晶体晶体管
TI BSS84/S62Z 130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
开关光电二极管晶体管
PANJIT BSS84_1
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
DIODES BSS84_10
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
DIODES BSS8402DW
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COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
互补对增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
PANJIT BSS8402DW
中文翻译
COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
互补对增强型MOSFET
晶体晶体管开关光电二极管
PANJIT BSS8402DW
中文翻译
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
互补对增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
DIODES BSS8402DW
中文翻译
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
互补对增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
DIODES BSS8402DW
中文翻译
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
互补对增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
DIODES BSS8402DW_08
中文翻译
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
互补对增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
PANJIT BSS8402DW_1
中文翻译
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
互补对增强型场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
DIODES BSS8402DW-13 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTC PACKAGE-6
开关光电二极管晶体管
DIODES BSS8402DW-13-F Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
开关光电二极管晶体管
DIODES BSS8402DW-7
中文翻译
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
互补对增强型场效应晶体管
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
DIODES BSS8402DW-7
中文翻译
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
互补对增强型场效应晶体管
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
更多BSS84资料...

BSS84详细参数

是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SOT-23, 3 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
风险等级
5
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.13 A
最大漏极电流 (ID)
0.13 A
最大漏源导通电阻
10 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e0
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
235
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.25 W
认证状态
Not Qualified
子类别
Other Transistors
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
10
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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