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BSS84/DG产品参数
型号:BSS84/DG
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.13 A
最大漏极电流 (ID):0.13 A
最大漏源导通电阻:10 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):12 pF
JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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