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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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BST84产品参数
型号:BST84
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.2
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.25 A
最大漏极电流 (ID):0.25 A
最大漏源导通电阻:12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):10 pF
JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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