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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市誉兴微科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京天阳诚业科贸有限公司

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产品型号BSZ088N03MSGATMA1的产品参数和BSZ088N03MSGATMA1的使用说明

配单直通车
BSZ088N03MSGATMA1产品参数
型号:BSZ088N03MSGATMA1
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
针数:8
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:26 weeks
风险等级:1.63
雪崩能效等级(Eas):25 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.0097 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-N5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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