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BU2730AL产品参数
型号:BU2730AL
生命周期:Active
IHS 制造商:NXP SEMICONDUCTORS
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):16 A
集电极-发射极最大电压:825 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:125 W
最大功率耗散 (Abs):125 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:5 V
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