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BU52012HFV-TR产品参数
型号:BU52012HFV-TR
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ROHM CO LTD
包装说明:FL6,.047,20
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:7.97
Is Samacsys:N
其他特性:CMOS OUTPUT
主体宽度:1.2 mm
主体高度:0.6 mm
主体长度或直径:1.6 mm
滞后:0.9 mT
最大磁场范围:5 mT
最小磁场范围:0.6 mT
安装特点:SURFACE MOUNT
端子数量:6
最大工作电流:0.009 mA
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
输出:OPEN-DRAIN
最大输出电流:0.5 mA
输出极性:INVERTING
输出范围:0.20-1.60V
输出类型:ANALOG VOLTAGE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:FL6,.047,20
封装形状/形式:RECTANGULAR
电源:1.8 V
传感器/换能器类型:MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
子类别:Other Sensors
最大供电电压:3.3 V
最小供电电压:1.65 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端接类型:SOLDER
Base Number Matches:1
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