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| 型号: | BUJ105AB |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 13 |
| 最大降落时间（tf）： | 500 ns |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | IEC-134 |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 3000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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