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BUV21G产品参数
型号:BUV21G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:BFM
包装说明:LEAD FREE, CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
针数:2
制造商包装代码:197A-05
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.03
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):250 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8 MHz
Base Number Matches:1
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