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| 型号: | BUW11 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
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