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| 型号: | BYC8B-600P |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD |
| 包装说明： | D2PAK-3/2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | HYPER FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 3.4 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 参考标准： | IEC-60134 |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向电流： | 20 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.018 µs |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
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