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BYV10-600P产品参数
型号:BYV10-600P
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NXP SEMICONDUCTORS
包装说明:R-PSFM-T2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2 V
JEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:88 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
参考标准:IEC-60134
最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
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