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| 型号: | BYV28-200 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.44 |
| Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 90 A |
| 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1.9 A |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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