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| 型号: | BYV30B-600P |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD |
| 包装说明： | R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.55 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 330 A |
| 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 参考标准： | IEC-60134 |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向电流： | 10 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.075 µs |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
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