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BYV32EB产品参数
型号:BYV32EB
生命周期:Active
IHS 制造商:NXP SEMICONDUCTORS
包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.38
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:2
端子数量:2
最大输出电流:20 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1
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