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BYW51G-200产品参数
型号:BYW51G-200
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-263
包装说明:R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.62
其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.15 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:15 µA
最大反向恢复时间:0.035 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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