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  • BZD17C33P-E3-18图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家VISHAY 
  • 封装DO-219 
  • 批号21+ 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BZD17C33P-E3-18
  • 数量236000 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装DO-219 
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 数量29500 
  • 厂家Vishay General Semiconductor - Diodes Di 
  • 封装DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB 
  • 批号21+ 
  • 只做原装现货代理
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BZD17C33PM2产品参数
型号:BZD17C33PM2
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.67
Is Samacsys:N
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:15 Ω
最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.8 W
标称参考电压:33 V
最大反向电流:1 µA
反向测试电压:24 V
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
电压温度Coeff-Max:36.3 mV/ °C
最大电压容差:6.06%
工作测试电流:25 mA
Base Number Matches:1
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