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  • BZT03D110-TAP图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • BZT03D110-TAP
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  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装SOD-57 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • BZT03D110-TAP图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • BZT03D110-TAP
  • 数量26980 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOD-57(DIP) 
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BZT03D11产品参数
型号:BZT03D11
生命周期:Active
IHS 制造商:CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
零件包装代码:DO-41
包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.43
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:7 Ω
JEDEC-95代码:DO-15
JESD-30 代码:O-XALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.3 W
标称参考电压:11 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
最大电压容差:10%
工作测试电流:50 mA
Base Number Matches:1
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