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产品型号BZT52C5V1T1G的概述

芯片BZT52C5V1T1G的概述 BZT52C5V1T1G是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款瞬态电压抑制器(TVS),专门用于保护敏感电子元件免受过电压和静电放电(ESD)损伤。该器件在许多电路中找到了应用,尤其是在连接到电源、数据线或信号线的设备中。BZT52C5V1T1G具有较高的电压稳定性和快速响应能力,使其成为现代电子设备中不可或缺的保护元件。 芯片BZT52C5V1T1G的详细参数 BZT52C5V1T1G的主要参数包括: - 类型:瞬态电压抑制器(TVS) - 反向击穿电压:5.1V(典型值) - 最大额定功率:500W(在特定的工作条件下) - 最大反向漏电流:大约为0.1μA(在5.1V时) - 击穿电压(V_BR):在指定的工作条件下通常为5.1V - 毫安级操作电流:1mA - 封装:SOD-123 - 工作温度范围:-55℃至+150...

产品型号BZT52C5V1V的Datasheet PDF文件预览

410mW Two Terminals  
SMD Zener Diodes  
BZT52C2V4 BZT52C51  
410mW Two Terminals SMD Zener Diodes  
Features  
Planar Die Construction  
410mW Power Dissipation  
Zener Voltage 2.4v to 51v  
RoHS Compliance  
SOD-123  
Mechanical Data  
Case:  
Epoxy:  
SOD-123, molded plastic  
Plastic package has UL flammability 94V-0  
Solderable per MIL-STD-202G,Method 208  
Color band denotes cathode  
Terminals:  
Polarity:  
Approx Weight: 0.01 grams  
Maximum Ratings (T Ambient=25ºC unless noted otherwise)  
Symbol  
Description  
Forward Voltage Drop  
Value  
Unit  
Conditions  
0.9  
V
IF=10mA  
VF  
Power Dissipation  
410  
mW  
Ta=25 °C (Note 1)  
(Note 2)  
Ptot  
Peak Forward Surge Current,8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
2.0  
A
IFSM  
Operating Junction Temperature  
150  
°C  
°C  
TJ  
Storage Temperature Range  
-55 to 150  
TSTG  
Note: 1. Mounted on 5.0mm²(0.13mm thick ) land areas  
2. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses  
per minute maximum  
TAITRON COMPONENTS INCORPORATED www.taitroncomponents.com  
Rev. A/AH 2007-10-11  
Page 1 of 4  
Tel: (800)-TAITRON (800)-824-8766 (661)-257-6060  
Fax: (800)-TAITFAX (800)-824-8329 (661)-257-6415  
410mW Two Terminals SMD Zener Diodes  
BZT52C2V4 - BZT52C51  
Electrical Characteristics (T Ambient=25ºC unless noted otherwise)  
Norminal Zener Voltage  
@ IZT  
Test  
Current  
Max. Reverse  
Leakage Current  
Max. Zener Impedance  
ZZT@ ZZK@  
Marking  
Code  
Part NO.  
IR @ VR  
VZ(V)  
IZT(mA)  
IZT  
85  
83  
95  
95  
95  
95  
95  
78  
60  
40  
10  
8
IZK  
600  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
480  
400  
200  
150  
50  
IZK(mA)  
IR (μA)  
-
VR(V)  
-
Nom.  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
Min.  
2.28  
2.5  
Max.  
2.56  
2.9  
BZT52C2V4  
BZT52C2V7  
BZT52C3V0  
BZT52C3V3  
BZT52C3V6  
BZT52C3V9  
BZT52C4V3  
BZT52C4V7  
BZT52C5V1  
BZT52C5V6  
BZT52C6V2  
BZT52C6V8  
BZT52C7V5  
BZT52C8V2  
BZT52C9V1  
BZT52C10  
BZT52C11  
BZT52C12  
BZT52C13  
BZT52C15  
BZT52C16  
BZT52C18  
BZT52C20  
BZT52C22  
BZT52C24  
BZT52C27  
BZT52C30  
BZT52C33  
BZT52C36  
BZT52C39  
BZT52C43  
BZT52C47  
W1  
W2  
W3  
W4  
W5  
W6  
W7  
W8  
W9  
WA  
WB  
WC  
WD  
WE  
WF  
WG  
WH  
WI  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
-
-
2.8  
3.2  
-
-
3.1  
3.5  
-
-
3.4  
3.8  
-
-
3.7  
4.1  
-
-
4.0  
4.6  
-
-
4.4  
5.0  
-
-
4.8  
5.4  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.8  
1
5.2  
6.0  
5.8  
6.6  
2
6.4  
7.2  
3
7.0  
7.9  
7
5
7.7  
8.7  
7
50  
6
8.5  
9.6  
10  
15  
20  
20  
25  
30  
40  
50  
50  
55  
80  
80  
80  
80  
90  
90  
100  
100  
50  
7
9.4  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32  
70  
7.5  
8.5  
9
11  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28  
70  
12  
90  
WK  
WL  
WM  
WN  
WO  
WP  
WR  
WS  
WT  
WU  
WW  
WX  
WY  
WZ  
13  
110  
110  
170  
170  
220  
220  
220  
250  
250  
250  
250  
300  
700  
750  
10  
11  
12  
14  
15  
17  
18  
20  
22.5  
25  
27  
29  
32  
35  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
31  
35  
36  
34  
38  
39  
37  
41  
43  
40  
46  
47  
44  
50  
Rev. A/AH 2007-08-17  
Page 2 of 4  
www.taitroncomponents.com  
410mW Two Terminals SMD Zener Diodes  
BZT52C2V4 - BZT52C51  
Norminal Zener Voltage  
Test  
Current  
Max. Reverse  
Leakage Current  
@ IZT  
Max. Zener Impedance  
Marking  
Code  
Part NO.  
IR @ VR  
VZ(V)  
ZZT@ ZZK@  
IZT(mA)  
IZT  
IZK  
IZK(mA)  
IR (μA)  
VR(V)  
Nom.  
Min.  
Max.  
BZT52C51  
XA  
51  
48  
54  
5
100  
750  
1
0.1  
38  
Typical Characteristics Curves  
Fig.1- Power Dissipation  
Fig.2- Typical Forward Characteristic  
VF, Forward Voltage (V)  
Temperature (°C)  
Fig.3-Typical Zener Impedance  
Vz, Normal Zener Voltage (V)  
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410mW Two Terminals SMD Zener Diodes  
BZT52C2V4 - BZT52C51  
Dimensions in inch (mm)  
SOD-123  
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28040 WEST HARRISON PARKWAY, VALENCIA, CA 91355-4162  
Tel: (800) TAITRON (800) 824-8766 (661) 257-6060  
Fax: (800) TAITFAX (800) 824-8329 (661) 257-6415  
Email: taitron@taitroncomponents.com  
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TAITRON COMPONENTS MEXICO, S.A .DE C.V.  
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RUA DOMINGOS DE MORAIS, 2777, 2.ANDAR, SALA 24 SAÚDE - SÃO PAULO-SP 04035-001 BRAZIL  
Tel: +55-11-5574-7949  
Fax: +55-11-5572-0052  
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Tel: +86-21-5424-9942  
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Rev. A/AH 2007-08-17  
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配单直通车
BZT52C5V1TQ-13产品参数
型号:BZT52C5V1TQ-13
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:60 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.3 W
参考标准:AEC-Q101
标称参考电压:5.1 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:5.88%
工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1
  •  
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