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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • BZT52C5V1T1G
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  • BZT52C5V1T1G图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • BZT52C5V1T1G
  • 数量85000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOD-123 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 数量1964 
  • 厂家ON 
  • 封装SOD-123 
  • 批号23+ 
  • 只做进口原装/到货/可含13%税
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  • 深圳市凯鑫跃电子有限公司

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  • BZT52C5V1T1G
  • 数量78000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOD-123 
  • 批号2025+PB 
  • 进口全新原装无铅房间现货
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量7420 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 原装现货,当天可交货,原型号开票
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量78800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOD-123 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • BZT52C5V1T1G
  • 数量13000 
  • 厂家ON/LRC 
  • 封装S0D-123 
  • 批号24+ 
  • 原厂货源/正品保证,诚信经营,欢迎询价
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  • 毅创腾(集团)有限公司

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  • 数量1900 
  • 厂家ON 
  • 封装SOD123 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ON 
  • 封装SOD123 
  • 批号09+ 
  • 低价大批量供应
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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 数量7501 
  • 厂家ON 
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  • 原装正品 一手现货 假一赔百
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  • 香港元动力半导体有限公司

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  • 数量17000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
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产品型号BZT52C5V1T1G的概述

芯片BZT52C5V1T1G的概述 BZT52C5V1T1G是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款瞬态电压抑制器(TVS),专门用于保护敏感电子元件免受过电压和静电放电(ESD)损伤。该器件在许多电路中找到了应用,尤其是在连接到电源、数据线或信号线的设备中。BZT52C5V1T1G具有较高的电压稳定性和快速响应能力,使其成为现代电子设备中不可或缺的保护元件。 芯片BZT52C5V1T1G的详细参数 BZT52C5V1T1G的主要参数包括: - 类型:瞬态电压抑制器(TVS) - 反向击穿电压:5.1V(典型值) - 最大额定功率:500W(在特定的工作条件下) - 最大反向漏电流:大约为0.1μA(在5.1V时) - 击穿电压(V_BR):在指定的工作条件下通常为5.1V - 毫安级操作电流:1mA - 封装:SOD-123 - 工作温度范围:-55℃至+150...
配单直通车
BZT52C5V1TQ-13产品参数
型号:BZT52C5V1TQ-13
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:60 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.3 W
参考标准:AEC-Q101
标称参考电压:5.1 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:5.88%
工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1
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