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BZW04-70B产品参数
型号:BZW04-70B
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.21
Is Samacsys:N
最大击穿电压:86.1 V
最小击穿电压:77.9 V
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:400 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W
最大重复峰值反向电压:70.1 V
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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